Κίνα οδηγημένος ηλεκτρονικός πίνακας βαθμολογίας κατασκευαστής

Εάν δεν μπορείτε να είστε οι ΝΟ 1 αλλά μπορείτε να είστε ο ειδικός. 

Ειδήσεις

October 23, 2017

Μια ανάλυση του θανάσιμου προβλήματος της ζωής των υψηλών οδηγήσεων φωτεινότητας

1.Thermal η διαχείριση είναι το κύριο πρόβλημα στις εφαρμογές των υψηλών οδηγήσεων φωτεινότητας


Δεδομένου ότι η νάρκωση π-τύπων της ομάδας ΙΙΙ νιτρίδιο περιορίζεται από τη διαλυτότητα του αποδέκτη MG και τις υψηλότερες αρχικές ενέργειες των τρυπών, η θερμότητα είναι ιδιαίτερα ευαίσθητη στην περιοχή π-τύπων, η οποία πρέπει να περάσει μέσω της ολόκληρης δομής που διαλύει στο heatsink Οι συσκευές των οδηγήσεων είναι κυρίως διεξαγωγή θερμότητας και θερμική μεταφορά Η υλική πολύ χαμηλή θερμική αγωγιμότητα υποστρωμάτων σαπφείρου οδήγησε στην αυξανόμενη θερμική αντίσταση συσκευών, με συνέπεια μια σοβαρή αυτοθερμενόμενη επίδραση στην απόδοση συσκευών και την αξιοπιστία ενός καταστρεπτικού αντίκτυπου.

 

2.The αντίκτυπος της θερμότητας στις υψηλές οδηγήσεις φωτεινότητας


Η συγκέντρωση θερμότητας συγκεντρώνεται στο τσιπ με το πολύ μικρό μέγεθος, η θερμοκρασία τσιπ αυξάνεται, η ανομοιόμορφη διανομή της θερμικής πίεσης προκαλείται, το ποσοστό τρίχας τσιπ και η μείωση αποδοτικότητας λογχών λέιζερ. Όταν η θερμοκρασία υπερβαίνει μια ορισμένη αξία, το ποσοστό αποτυχίας συσκευών αυξάνεται εκθετικά. Οι στατιστικές δείχνουν ότι η θερμοκρασία για κάθε άνοδο 2 ℃, αξιοπιστία που μειώνεται από 10%. Όταν πολλαπλάσιο LEDs κανονίζεται για να διαμορφώσει ένα άσπρο ελαφρύ σύστημα, το πρόβλημα διασκεδασμού θερμότητας είναι σοβαρότερο. Η επίλυση των διοικητικών ζητημάτων θερμότητας έχει γίνει μια προϋπόθεση για τις εφαρμογές των υψηλών οδηγήσεων φωτεινότητας.


3.The σχέση μεταξύ του διασκεδασμού μεγέθους και θερμότητας τσιπ
Ο απλούστερος τρόπος να βελτιωθούν οι οδηγήσεις είναι να αυξηθεί η δύναμη εισαγωγής, και προκειμένου να αποτραπεί ο κορεσμός του ενεργού στρώματος πρέπει να είναι αυξανόμενο αναλόγως μέγεθος συνδέσεων PN αυξήστε τη δύναμη εισαγωγής είναι αναγκασμένος για να αυξήσει τη θερμοκρασία συνδέσεων, με αυτόν τον τρόπο μειώνοντας την κβαντική αποδοτικότητα. Η αύξηση στη δύναμη ενιαίος-σωλήνων εξαρτάται από τη δυνατότητα της συσκευής να αντληθεί η θερμότητα από τη σύνδεση PN. Το μέγεθος του τσιπ αυξάνεται με τη διατήρηση του τρέχουσας υλικού τσιπ, της δομής, της διαδικασίας συσκευασίας, της σταθερής πυκνότητας ρεύματος στο τσιπ, και των ισοδύναμων όρων ψύξης. Η θερμοκρασία θα συνεχίσει να αυξάνεται.

 

 

Στοιχεία επικοινωνίας